В России разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
newsare.net
Такие диоды имеют широкий спектр применения. Они подходят для создания энергоэффективных зарядных устройств, мощных блоков питания, контролВ России разработали диоды нового поколения на основе оксида галлия
Такие диоды имеют широкий спектр применения. Они подходят для создания энергоэффективных зарядных устройств, мощных блоков питания, контроллеров электропривода автомобилей и прочих видов силовой электроники. Инженерные коллективы мирового уровня ведут разработку полупроводниковых устройств на основе оксида галлия. Такие изделия существенно опережают аналоги из нитрида галлия и кремния. Их можно применять в высокопроизводительной электронике. Сотрудники Томского государственного университета (ТГУ) тоже занимаются решением этой непростой технической задачи. Первые лабораторные экземпляры уже успешно прошли начальные тесты, говорится на сайте учебного заведения «Оксид галлия представляет собой четвертое поколение полупроводников, которые обладают устойчивостью к высокому напряжению, низким расходом энергии и меньшим размером. Лидером в их разработке сейчас является Китай, но в России подобные исследования тоже проводятся. Страна нацелена на технологическую независимость, потому государство активно поддерживает разработки, связанные с развитием компонентной базы», — комментирует автор проекта, аспирант РФФ ТГУ, сотрудник лаборатории микроэлектроники мультиспектральной квантовой интроскопии Центра «Перспективные технологии в микроэлектронике» ТГУ Никита Яковлев. Read more